威固带大家来看看工业级固态硬盘内部是怎么组成的。
工业级固态硬盘内部组成是什么样的
首先是NAND芯片，作为工业级固态硬盘的核心组成部分，NVMe阵列卡的工艺和质量最直接的影响整个工业级固态硬盘的寿命和性能。NAND芯片的作用就类似对于咱们整个服务器而言里面的硬盘，作为存储介质的存在。读写都最终落在这里。
NAND芯片和工业级固态硬盘的控制器相连，这个控制器相当于我们服务器的阵列卡，CPU，内存等计算和管理单元，里面有对于数据调度的硬件计算部件，这里面也包含着工业级固态硬盘固件，固件里面编辑这个块盘厂商设计的算法调度，寿命管理等技术代码程序。
控制器和NAND芯片之间的通信协议分为ONFL和TOGGLE两种，前者是intel和美光指定的标准，后面是东芝三星指定的标准。两种协议之下功能定义对于NAND颗粒封装是pin to pin兼容的，这样也保证了工业级固态硬盘厂商设计时的通用性。
控制器再对外连接的host也就是通过IO连接器连到硬盘背板连到服务器了。这个之间就是通过咱们更常听说的SATA或PCIE的形式了，目前常见的物理接口包括SATA SAS的，还有跑在NVMe协议的U.2和AIC的形式了。
综上的介绍，工业级固态硬盘内部的工作流程基本就是按照这个分工来完成的，而这其中最重要的部分就是NAND闪存芯片。
NAND Flash的颗粒根据每个存储单元内存储比特个数的不同，可以分为:
1.SLC：即1 bit per cell，只存在0和1两个充电值，结构简单但是执行效率高。SLC闪存的优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而，由于每个存储单元包含的信息较少，成本高，约10万次擦写寿命。
2.MLC：即2 bit per cell，有00,01,10,11四个充电值，因此需要比SLC更多的访问时间，每个Cell存放比SLC多一倍的数据，但与SLC相比其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，一万次以内擦写寿命
3.TLC：即3 bit per cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，所需访问时间更长，因此传输速度更慢，TLC优势价格便宜
4.QLC：即4 bit per cell，每个单元可以存放4个数据，一共16个充电值，成本更低，容量更大，但是擦除的次数在几百次左右。
