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英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“功率半导体模块和包括功率半导体模块的功率电子器件系统”的专利，授权公告号CN 222421967 U，申请日期为2024年2月。 专利摘要显示，提供了一种功率半导体模块和功率电子器件系统。功率半导体模块包括：电绝缘外壳;多个功率半导体管芯，附接到所述电绝缘外壳内部的衬底;引线框架或夹具框架，设置在所述电绝缘外壳内部的所述多个功率半导体管芯上方并且电连接到所述功率半导体管芯;多个接触引脚，附接到所述引线框架或夹具框架并且突出穿过所述电绝缘外壳的第一侧以在所述电绝缘外壳外部形成电连接接口;以及多个振动阻尼器，附接到所述引线框架或夹具框架。所述振动阻尼器突出穿过所述电绝缘外壳的所述第一侧并且与所述电连接接口分离。所述振动阻尼器被配置为抑制电路板处的振动，并且不影响所述功率半导体模块的电操作，所述电路板被设计成安装到所述模块。
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