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igbt单管 10月29日，英飞凌宣布推出全球最薄硅功率晶圆，成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。 据介绍，这种晶圆直径为30mm，厚度20μm仅为头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。该技术已获得认可，并被应用于英飞凌的集成智能功率级(直流-直流转换器)中，且已交付给首批客户。 英飞凌指出，这项创新将有助于大幅提高功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性，适用于AI数据中心，以及消费、电机控制和计算应用。 具体而言，与基于传统硅晶圆的解决方案相比，此次晶圆厚度减半可将基板电阻降低50%，从而使功率系统中的功率损耗减少15%以上。对于高端AI服务器应用来说，电流增大会推动能源需求上升，因此，将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压，对于功率转换来说尤为重要。超薄晶圆技术大大促进了基于垂直沟槽MOSFET技术的垂直功率传输设计。这种设计实现了与AI芯片处理器的高度紧密连接，在减少功率损耗的同时，提高了整体效率。 此前，英飞凌刚宣布，推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆，以及在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂。上述体现出英飞凌加强布局功率半导体市场的决心。 英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示，随着AI数据中心的能源需求大幅上升，能效变得日益重要。这给英飞凌带来了快速发展的机遇。基于中双位数的增长率，预计其AI业务收入在未来两年内将达到10亿欧元。
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